maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N30M-V
Référence fabricant | 4N30M-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N30M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N30M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N30M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N30M-V-FT |
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SVM
ON Semiconductor
4N25SR2VM
ON Semiconductor
4N27SR2M
ON Semiconductor
CNY17F2SVM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2M
ON Semiconductor
4N27SM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2VM
ON Semiconductor
H11AA1SR2VM
ON Semiconductor
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP4CE15E22I8L
Intel
5SGSMD8N3F45C2LN
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP3C40F324C7N
Intel