maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N28M-V
Référence fabricant | 4N28M-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N28M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N28M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 10% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N28M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N28M-V-FT |
MOC8106SR2M
ON Semiconductor
4N35SR2VM
ON Semiconductor
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SVM
ON Semiconductor
4N25SR2VM
ON Semiconductor
4N27SR2M
ON Semiconductor
CNY17F2SVM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2M
ON Semiconductor
4N27SM
ON Semiconductor
XC3S500E-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456I
Xilinx Inc.
5AGZME5K2F40C3N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
EP4SGX290NF45C4N
Intel
A3P060-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel
EP1SGX40DF1020C6
Intel