maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N27S1(TB)
Référence fabricant | 4N27S1(TB) |
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Numéro de pièce future | FT-4N27S1(TB) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N27S1(TB) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 10% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N27S1(TB) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N27S1(TB)-FT |
EL817(S)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-VG
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EL817(S)(C)(TA)
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EL817(S)(C)(TA)-G
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EL817(S)(C)(TA)-VG
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EL817(S)(C)(TB)
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EL817(S)(C)(TB)-G
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EL817(S)(C)(TB)-V
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EL817(S)(C)(TB)-VG
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LFE2-20SE-7QN208C
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A3P125-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
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LCMXO2-7000ZE-1BG332C
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5AGXBA5D4F31C5N
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EPF10K30BC356-3
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EP4CGX22CF19I7
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