maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N27S1(TA)-V
Référence fabricant | 4N27S1(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-4N27S1(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N27S1(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 10% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N27S1(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N27S1(TA)-V-FT |
EL817(S)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-G
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EL817(S)(B)(TB)-V
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EL817(S)(B)(TB)-VG
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EL817(S)(C)(TA)
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AT40K20-2BQJ
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EX64-TQG100A
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XC3SD1800A-5FGG676C
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M1AGL600V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
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EP20K400CF672C8
Intel
EP1K100FC256-1N
Intel
EP2AGX95DF25I3N
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP4SGX180HF35I3
Intel