Référence fabricant | 4N25-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N25-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N25-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N25-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N25-V-FT |
FODM217CV
ON Semiconductor
FODM217DV
ON Semiconductor
PS2561L-1-F3-A
Renesas Electronics America
PS2561DL2-1Y-A
Renesas Electronics America
PS2561DL2-1Y-L-A
Renesas Electronics America
PS2581L1-H-A
Renesas Electronics America
PS2501L-1-K-A
Renesas Electronics America
PS2701-1-L-A
Renesas Electronics America
PS2561L-1-V-A
Renesas Electronics America
TCET1109G
Vishay Semiconductor Opto Division
LCMXO640E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AT40K10AL-1AQC
Microchip Technology
EP20K600EFC672-3N
Intel
5SGXEA4K2F40I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-2
Intel