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Référence fabricant | 49S10.0000GGC-E |
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Numéro de pièce future | FT-49S10.0000GGC-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
49S10.0000GGC-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
La fréquence | - |
Stabilité de fréquence | - |
Tolérance de fréquence | - |
Capacité de charge | - |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Mode de fonctionnement | - |
Température de fonctionnement | - |
Évaluations | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Taille / Dimension | - |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
49S10.0000GGC-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 49S10.0000GGC-E-FT |
FY4000097
Diodes Incorporated
FY4510002
Diodes Incorporated
FY4800015
Diodes Incorporated
FY4800030
Diodes Incorporated
FY4800034
Diodes Incorporated
FY4800035
Diodes Incorporated
FY4800038
Diodes Incorporated
FY4800039
Diodes Incorporated
FY4800039A
Diodes Incorporated
FY4800043
Diodes Incorporated
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ240I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE1500-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3
Intel
XC6VHX565T-2FFG1924C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
A3P1000-FG144I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C2
Intel