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Référence fabricant | 4642-RC |
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Numéro de pièce future | FT-4642-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 4600 |
4642-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Phenolic |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 160mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 49 @ 790kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 11MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 790kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.410" Dia x 0.875" L (10.41mm x 22.22mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4642-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4642-RC-FT |
5610-RC
Bourns Inc.
5611-RC
Bourns Inc.
5612-RC
Bourns Inc.
5613-RC
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5614
Bourns Inc.
5614-RC
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5615
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5615-RC
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5616
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5616-RC
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel