Référence fabricant | 3N252 |
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Numéro de pièce future | FT-3N252 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
3N252 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBPM |
Package d'appareils du fournisseur | KBPM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N252 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 3N252-FT |
M3P75A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-80
GeneSiC Semiconductor
KBU8M
GeneSiC Semiconductor
KBU8G
GeneSiC Semiconductor
KBU6M
GeneSiC Semiconductor
KBU8J
GeneSiC Semiconductor
KBU6B
GeneSiC Semiconductor
KBU6D
GeneSiC Semiconductor
KBU8A
GeneSiC Semiconductor
KBPC5010T
GeneSiC Semiconductor
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel