maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 3N163-E3
Référence fabricant | 3N163-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-3N163-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
3N163-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 375mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-72 |
Paquet / caisse | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N163-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 3N163-E3-FT |
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