maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 3LN01C-TB-E
Référence fabricant | 3LN01C-TB-E |
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Numéro de pièce future | FT-3LN01C-TB-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
3LN01C-TB-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 150mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 3-CP |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3LN01C-TB-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 3LN01C-TB-E-FT |
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