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Référence fabricant | 30LVD47JJ-R |
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Numéro de pièce future | FT-30LVD47JJ-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Cera-Mite 30LV |
30LVD47JJ-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4700pF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 400VAC |
Coéfficent de température | Y5U (E) |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | X1, Y2 |
Applications | Safety |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.618" Dia (15.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.744" (18.90mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.374" (9.50mm) |
Style de plomb | Straight |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
30LVD47JJ-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 30LVD47JJ-R-FT |
08051C104J4T4A
AVX Corporation
08051C334KAT2A
AVX Corporation
08053C104KAT4A
AVX Corporation
08053C104M4T4A
AVX Corporation
08053C224KAZ2A
AVX Corporation
08053C475MAT2A
AVX Corporation
08053F104KAT2A
AVX Corporation
08055A180J4T2A
AVX Corporation
08055A200F4T2A
AVX Corporation
08055C104M4T4A
AVX Corporation
XC6SLX16-L1FT256I
Xilinx Inc.
M2GL010-FG484
Microsemi Corporation
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
A42MX09-PQ160A
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34E2SG
Intel
EP2C70F896C8N
Intel