maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 309CMQ150
Référence fabricant | 309CMQ150 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-309CMQ150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
309CMQ150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.03V @ 150A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PRM4 |
Package d'appareils du fournisseur | PRM4 (Isolated) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
309CMQ150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 309CMQ150-FT |
STTH60L06TV2
STMicroelectronics
STTH6102TV1
STMicroelectronics
STTH6112TV2
STMicroelectronics
STTH61R04TV1
STMicroelectronics
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics
STTH1008DTI
STMicroelectronics
STPS20120CTN
STMicroelectronics
STPS30120CTN
STMicroelectronics
STPS40SM120CTN
STMicroelectronics
STPS30L60CTN
STMicroelectronics
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel