maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2V7002WT1G
Référence fabricant | 2V7002WT1G |
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Numéro de pièce future | FT-2V7002WT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
2V7002WT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 310mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 280mW (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-3 (SOT323) |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2V7002WT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2V7002WT1G-FT |
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