maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2STW200
Référence fabricant | 2STW200 |
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Numéro de pièce future | FT-2STW200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2STW200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 25A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 80mA, 20A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 10A, 3V |
Puissance - Max | 130W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2STW200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2STW200-FT |
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
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