maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2STBN15D100
Référence fabricant | 2STBN15D100 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2STBN15D100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2STBN15D100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 4mA, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Puissance - Max | 70W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2STBN15D100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2STBN15D100-FT |
BUV20
STMicroelectronics
BUX10
STMicroelectronics
BUX348
STMicroelectronics
BUX48
STMicroelectronics
BUX48A
STMicroelectronics
BUX98A
STMicroelectronics
BUY69A
STMicroelectronics
MJ2501
STMicroelectronics
MJ3001
STMicroelectronics
MJ4032
STMicroelectronics
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel