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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-Y(TE85L,F)

Numéro de pièce MFG
2SK879-Y(TE85L,F)
quantité disponible
91110 Pièces
Prix de référence
USD 0.11284
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- JFET N-CH 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - JFET
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK879-Y(TE85L,F) Caractéristiques

Référence fabricant 2SK879-Y(TE85L,F)
Numéro de pièce future FT-2SK879-Y(TE85L,F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK879-Y(TE85L,F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) -
Drain à la tension source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.2mA @ 10V
Drain actuel (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 400mV @ 100nA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8.2pF @ 10V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 100mW
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SC-70, SOT-323
Package d'appareils du fournisseur USM
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK879-Y(TE85L,F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK879-Y(TE85L,F)-FT

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