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ON Semiconductor 2SK536-TB-E
- Numéro de pièce MFG
- 2SK536-TB-E
- quantité disponible
- 12900 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.191232
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET N-CH 50V 0.1A
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- 2SK536-TB-E.pdf
2SK536-TB-E Caractéristiques
| Référence fabricant | 2SK536-TB-E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-2SK536-TB-E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| 2SK536-TB-E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SC-59 |
| Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SK536-TB-E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | 2SK536-TB-E-FT |
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