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Renesas Electronics America 2SK3811-ZP-E1-AY

Numéro de pièce MFG
2SK3811-ZP-E1-AY
quantité disponible
85040 Pièces
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK3811-ZP-E1-AY Caractéristiques

Référence fabricant 2SK3811-ZP-E1-AY
Numéro de pièce future FT-2SK3811-ZP-E1-AY
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK3811-ZP-E1-AY Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17700pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3811-ZP-E1-AY Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK3811-ZP-E1-AY-FT

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