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ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E
- Numéro de pièce MFG
- 2SK3666-3-TB-E
- quantité disponible
- 80860 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.076912
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - JFET
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
2SK3666-3-TB-E Caractéristiques
| Référence fabricant | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-2SK3666-3-TB-E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| 2SK3666-3-TB-E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | - |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Drain actuel (Id) - Max | 10mA |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Résistance - RDS (On) | 200 Ohms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package d'appareils du fournisseur | 3-CP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SK3666-3-TB-E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | 2SK3666-3-TB-E-FT |
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