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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ)

Name: 2SJ668(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ668(TE16L1,NQ)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (686 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2SJ668(TE16L1,NQ)

quantité disponible: 89330 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf

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2SJ668(TE16L1,NQ) Caractéristiques

Référence fabricant	2SJ668(TE16L1,NQ)
Numéro de pièce future	FT-2SJ668(TE16L1,NQ)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII
2SJ668(TE16L1,NQ) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	20W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PW-MOLD
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ668(TE16L1,NQ) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2SJ668(TE16L1,NQ)-FT

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