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ON Semiconductor 2SJ665-DL-E

Name: 2SJ665-DL-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 2SJ665-DL-E
Availability: InStock
Rating: 4.9 (176 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2SJ665-DL-E

quantité disponible: 75510 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2SJ665-DL-E.pdf

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2SJ665-DL-E Caractéristiques

Référence fabricant	2SJ665-DL-E
Numéro de pièce future	FT-2SJ665-DL-E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2SJ665-DL-E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	27A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.65W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SMP-FD
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ665-DL-E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2SJ665-DL-E-FT

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