maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SD2018
Référence fabricant | 2SD2018 |
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Numéro de pièce future | FT-2SD2018 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SD2018 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6500 @ 1A, 10V |
Puissance - Max | 5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-126B-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2018 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SD2018-FT |
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XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation