maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SD2014
Référence fabricant | 2SD2014 |
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Numéro de pièce future | FT-2SD2014 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SD2014 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 2V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | 75MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2014 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SD2014-FT |
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
Intel