maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SD12690P
Référence fabricant | 2SD12690P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SD12690P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SD12690P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 150mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12690P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SD12690P-FT |
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
Intel