maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SD1266AP
Référence fabricant | 2SD1266AP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SD1266AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SD1266AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 300µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1266AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SD1266AP-FT |
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
EP2C5T144I8
Intel
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
10CL025ZU256I8G
Intel
5SGXEA5N2F40I2L
Intel
EP4CGX30BF14C6N
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
XC4VLX40-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
Intel