maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SD12630P
Référence fabricant | 2SD12630P |
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Numéro de pièce future | FT-2SD12630P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SD12630P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 750mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 300mA, 10V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12630P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SD12630P-FT |
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,F(J
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