maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Référence fabricant | 2SC5551AF-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5551AF-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | 3.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 1.3W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
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MRF8372GR2
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Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
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