maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5415AF-TD-E
Référence fabricant | 2SC5415AF-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5415AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5415AF-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 6.7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
Puissance - Max | 800mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AF-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5415AF-TD-E-FT |
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
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MRF5812R1
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MRF8372
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MRF8372G
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MRF8372R1
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MRF8372R2
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HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
EPF10K10ATC144-3
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LFXP6C-5TN144C
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M1A3PE3000-PQG208I
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M1AFS1500-1FGG676I
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