maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5415AF-TD-E
Référence fabricant | 2SC5415AF-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5415AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5415AF-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 6.7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
Puissance - Max | 800mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AF-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5415AF-TD-E-FT |
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
XC7A15T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
5SGXEA4H2F35C3N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP4SGX230FF35C2XN
Intel