maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5227A-4-TB-E
Référence fabricant | 2SC5227A-4-TB-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5227A-4-TB-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5227A-4-TB-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Gain | 12dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | 3-CP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5227A-4-TB-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5227A-4-TB-E-FT |
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
A1020B-VQ80C
Microsemi Corporation
XCKU5P-L1FFVA676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C4N
Intel
5SGSMD5H2F35I2L
Intel
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation