maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC3583-T1B-A
Référence fabricant | 2SC3583-T1B-A |
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Numéro de pièce future | FT-2SC3583-T1B-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC3583-T1B-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 13dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 65mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3583-T1B-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC3583-T1B-A-FT |
2SC5013-T1-A
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Infineon Technologies
BFG21W,115
NXP USA Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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