maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC3356-T1B-R25-A
Référence fabricant | 2SC3356-T1B-R25-A |
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Numéro de pièce future | FT-2SC3356-T1B-R25-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC3356-T1B-R25-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 11.5dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3356-T1B-R25-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC3356-T1B-R25-A-FT |
AT-42000-GP4
Broadcom Limited
AT-41486-BLKG
Broadcom Limited
AT-41435G
Broadcom Limited
AT-32011-TR1
Broadcom Limited
AT-41511-TR1
Broadcom Limited
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel