maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SC2235-Y,USNHF(M
Référence fabricant | 2SC2235-Y,USNHF(M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SC2235-Y,USNHF(M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC2235-Y,USNHF(M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 900mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92MOD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2235-Y,USNHF(M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC2235-Y,USNHF(M-FT |
2SA1020-Y(ND1,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6CANOAF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6CANOFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6CN,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6ND1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation