maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SB1580T100
Référence fabricant | 2SB1580T100 |
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Numéro de pièce future | FT-2SB1580T100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SB1580T100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 50MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | MPT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1580T100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SB1580T100-FT |
2SB1188T100Q
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2SC5824T100Q
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XC7A35T-1FTG256I
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LFE5U-12F-7BG381I
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel