maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SB1302T-TD-E
Référence fabricant | 2SB1302T-TD-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SB1302T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SB1302T-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 1.3W |
Fréquence - Transition | 320MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1302T-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SB1302T-TD-E-FT |
2SD1816S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-E
ON Semiconductor
2SA1552S-H
ON Semiconductor
2SD1815S-E
ON Semiconductor
2SC6017-E
ON Semiconductor
2SC4027S-E
ON Semiconductor
2SB1204S-E
ON Semiconductor
2SA1593S-E
ON Semiconductor
2SB1204T-E
ON Semiconductor
2SD1802S-E
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel