maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SB09760RA
Référence fabricant | 2SB09760RA |
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Numéro de pièce future | FT-2SB09760RA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SB09760RA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 18V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Puissance - Max | 750mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-B1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB09760RA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SB09760RA-FT |
2N4124_S00Z
ON Semiconductor
2N4125BU
ON Semiconductor
2N4125_S00Z
ON Semiconductor
2N4126BU
ON Semiconductor
2N4126_S00Z
ON Semiconductor
2N4400BU
ON Semiconductor
2N4400_S00Z
ON Semiconductor
2N4401,116
NXP USA Inc.
2N4401G
ON Semiconductor
2N4401NLBU
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation