maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SB09430P
Référence fabricant | 2SB09430P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SB09430P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SB09430P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-A1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB09430P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SB09430P-FT |
TTA003,L1NQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5707-TL-E
ON Semiconductor
2SA2040-TL-E
ON Semiconductor
2SC4027S-TL-E
ON Semiconductor
2SD1815S-TL-E
ON Semiconductor
2SC4027S-TL-H
ON Semiconductor
FJD5553TM
ON Semiconductor
2SC5706-TL-E
ON Semiconductor
2SA1225-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1242-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel