maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA965-Y(F,M)
Référence fabricant | 2SA965-Y(F,M) |
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Numéro de pièce future | FT-2SA965-Y(F,M) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA965-Y(F,M) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 900mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | LSTM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA965-Y(F,M) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA965-Y(F,M)-FT |
BC850CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC856BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857BWE6327BTSA1
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BC857BWH6327XTSA1
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EPF10K30AFC256-3
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XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
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LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation