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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O(TE6,F,M)

Name: 2SA965-O(TE6,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA965-O(TE6,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (102 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2SA965-O(TE6,F,M)

quantité disponible: 99630 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2SA965-O(TE6,F,M).pdf

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2SA965-O(TE6,F,M) Caractéristiques

Référence fabricant	2SA965-O(TE6,F,M)
Numéro de pièce future	FT-2SA965-O(TE6,F,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2SA965-O(TE6,F,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	800mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure Collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Puissance - Max	900mW
Fréquence - Transition	120MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package d'appareils du fournisseur	LSTM
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SA965-O(TE6,F,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2SA965-O(TE6,F,M)-FT

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