maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA949-Y,F(J
Référence fabricant | 2SA949-Y,F(J |
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Numéro de pièce future | FT-2SA949-Y,F(J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA949-Y,F(J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 1mA, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92MOD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA949-Y,F(J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA949-Y,F(J-FT |
BC849CWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC849CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC850BWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC850BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC850CWE6327HTSA1
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BC850CWH6327XTSA1
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BC856BWE6327BTSA1
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BC857BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857BWH6327XTSA1
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BC857BWH6778XTSA1
Infineon Technologies
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel