maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA2007E
Référence fabricant | 2SA2007E |
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Numéro de pièce future | FT-2SA2007E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA2007E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 320 @ 2A, 2V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2007E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA2007E-FT |
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XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel