maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA1162-GR,LF
Référence fabricant | 2SA1162-GR,LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SA1162-GR,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA1162-GR,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | S-Mini |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162-GR,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA1162-GR,LF-FT |
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel