maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA1020-Y(6MBH1,AF
Référence fabricant | 2SA1020-Y(6MBH1,AF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SA1020-Y(6MBH1,AF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA1020-Y(6MBH1,AF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 900mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92MOD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1020-Y(6MBH1,AF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA1020-Y(6MBH1,AF-FT |
BC 807-16W H6327
Infineon Technologies
BC 807-25W H6327
Infineon Technologies
BC 807-40W E6433
Infineon Technologies
BC 807-40W H6327
Infineon Technologies
BC 807-40W H6433
Infineon Technologies
BC 808-25W H6327
Infineon Technologies
BC 808-40W E6327
Infineon Technologies
BC 808-40W H6327
Infineon Technologies
BC 817-25W E6327
Infineon Technologies
BC 817-25W E6433
Infineon Technologies
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel