maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SA1020-O,T6CSF(J
Référence fabricant | 2SA1020-O,T6CSF(J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SA1020-O,T6CSF(J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SA1020-O,T6CSF(J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 900mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92MOD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1020-O,T6CSF(J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SA1020-O,T6CSF(J-FT |
BC 807-16W E6327
Infineon Technologies
BC 807-16W H6327
Infineon Technologies
BC 807-25W H6327
Infineon Technologies
BC 807-40W E6433
Infineon Technologies
BC 807-40W H6327
Infineon Technologies
BC 807-40W H6433
Infineon Technologies
BC 808-25W H6327
Infineon Technologies
BC 808-40W E6327
Infineon Technologies
BC 808-40W H6327
Infineon Technologies
BC 817-25W E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel