maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / 2PS12017E44G35911NOSA1
Référence fabricant | 2PS12017E44G35911NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-2PS12017E44G35911NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2PS12017E44G35911NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 2160W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 55°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2PS12017E44G35911NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2PS12017E44G35911NOSA1-FT |
CM75TU-12F
Powerex Inc.
CM75TU-24F
Powerex Inc.
CM75TU-34KA
Powerex Inc.
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
F3L400R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
FD600R06ME3S2BOSA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
DF80R12W2H3_B11
Infineon Technologies
FD-DF80R12W1H3_B52
Infineon Technologies
FD1600/1200R17KF6C_B2
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel