maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N7002TQ-7-F
Référence fabricant | 2N7002TQ-7-F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N7002TQ-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
2N7002TQ-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 115mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002TQ-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7002TQ-7-F-FT |
IRFL014PBF
Vishay Siliconix
IRFL014TR
Vishay Siliconix
IRFL024N
Infineon Technologies
IRFL024NPBF
Infineon Technologies
IRFL024NTR
Infineon Technologies
IRFL024Z
Infineon Technologies
IRFL024ZPBF
Infineon Technologies
IRFL1006
Infineon Technologies
IRFL1006PBF
Infineon Technologies
IRFL1006TR
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel