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ON Semiconductor 2N7002ET7G

Numéro de pièce MFG
2N7002ET7G
quantité disponible
39860 Pièces
Prix de référence
USD 0.021824
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- NFET SOT23 60V 115MA 7MO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2N7002ET7G Caractéristiques

Référence fabricant 2N7002ET7G
Numéro de pièce future FT-2N7002ET7G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2N7002ET7G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.81nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300mW (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7002ET7G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2N7002ET7G-FT

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