maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / 2N7002DWH6327XTSA1
Référence fabricant | 2N7002DWH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-2N7002DWH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
2N7002DWH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002DWH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7002DWH6327XTSA1-FT |
IRF7331PBF
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IRF7331TR
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IRF7331TRPBF
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IRF7343PBF
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A42MX24-PQG208
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A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
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5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
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Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel