maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N6849U
Référence fabricant | 2N6849U |
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Numéro de pièce future | FT-2N6849U |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6849U Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquet / caisse | 18-CLCC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6849U Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6849U-FT |
NVATS4A103PZT4G
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