maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N6519BU
Référence fabricant | 2N6519BU |
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Numéro de pièce future | FT-2N6519BU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6519BU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6519BU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6519BU-FT |
ZTX849
Diodes Incorporated
2N6517BU
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KSC2328AOTA
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
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10M02SCU169C8G
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EP3SE80F1152I3N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
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EPF10K50VQC240-1
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