maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N6384
Référence fabricant | 2N6384 |
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Numéro de pièce future | FT-2N6384 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6384 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Puissance - Max | 100W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-204AA, TO-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6384 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6384-FT |
FZT493ATC
Diodes Incorporated
FZT493TC
Diodes Incorporated
FZT49A3TA
Diodes Incorporated
FZT549TC
Diodes Incorporated
FZT558
Diodes Incorporated
FZT558TC
Diodes Incorporated
FZT589TC
Diodes Incorporated
FZT591ATA
Diodes Incorporated
FZT591ATC
Diodes Incorporated
FZT591TC
Diodes Incorporated
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
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EP4SGX180FF35C2X
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